InAs/GaSb quantum well(QW)structures attract a great attention due to their unique type Ⅱ broken-gap alignment [1].Such......

用自制电致发光（Electroluminescence-EL）测量装置测试了直流高电场下聚对苯二甲酸乙二酯[poly（ethylene terephthalate）-PET]薄膜EL的......

报道了一种新的蒽端基聚对苯亚乙炔的合成与发光特性,分别考察了聚合物P2的紫外吸收,荧光发射和电致发光光谱.结果表明,在聚对苯亚......

合成了一类以苯甲酰水杨酸(Benzoyl Salicylic Acid, BSA)为配体的稀土铽配合物, 将导电高分子材料PVK引入到配合物中, 制成了结构......

利用低温水热法生长的ZnO纳米棒（ZnO--NRs），和P型有机半导体材料聚[2-甲氧基-5-（2-乙基己氧基）-1，4-苯撑乙烯撑]（MEH-PPV）复合制备了结构为......

制备了以TCTA和CBP为空穴传输层、Eu（DBM）3Bath为发光层、TPBI为电子传输层的有机多层薄膜微腔电致发光器件。通过光学微腔来改变Eu（D......

使用Ｓｉ－ＭＢＥ生长了阶梯形折射率分布ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱材料，在低温下观测到无声子参与的光荧光和电注入发光。阶梯形折射率分别ＳｉＧｅ／Ｓｉ电子阱结构有利于提高发......

用可溶性前聚物法制备的聚１，４－萘乙炔制成单层有机电致发光器件。该器件阳极为ＩＴＯ，阴极为Ｃａ，器件在正向偏压４Ｖ左右时开始发光，发光谱峰值为６０５ｎｍ，最高亮......